TPC8125 , P沟道 MOSFET 晶体管, 10 A, Vds=-30 V, 8针 SOP-8封装
- RS 库存编号:
- 796-5115
- 制造商零件编号:
- TPC8125
- 制造商:
- Toshiba
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB5.66 | RMB28.30 |
| 50 - 495 | RMB4.86 | RMB24.30 |
| 500 - 2495 | RMB4.24 | RMB21.20 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 796-5115
- 制造商零件编号:
- TPC8125
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 10 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 17 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -25 V，+20 V | |
| 封装类型 | SOP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1.9 W | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 3.9mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 2580 pF @ -10 V | |
| 典型关断延迟时间 | 245 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 64 nC @ 10 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 4.9mm | |
| 高度 | 1.52mm | |
| 典型接通延迟时间 | 16 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 4.9 x 3.9 x 1.52mm | |
| 系列 | TPC | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 10 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 17 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -25 V，+20 V | ||
封装类型 SOP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1.9 W | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 3.9mm | ||
典型输入电容值@Vds 2580 pF @ -10 V | ||
典型关断延迟时间 245 ns | ||
典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 10 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 4.9mm | ||
高度 1.52mm | ||
典型接通延迟时间 16 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 4.9 x 3.9 x 1.52mm | ||
系列 TPC | ||