TPC8227-H,LQ(S , N沟道 MOSFET 晶体管, 5.1 A, Vds=40 V, 8针 SOP-8封装
- RS 库存编号:
- 796-5128
- 制造商零件编号:
- TPC8227-H,LQ(S
- 制造商:
- Toshiba
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB3.60 | RMB18.00 |
| 50 - 495 | RMB3.06 | RMB15.30 |
| 500 - 2495 | RMB2.70 | RMB13.50 |
| 2500 - 4995 | RMB1.80 | RMB9.00 |
| 5000 + | RMB1.56 | RMB7.80 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 796-5128
- 制造商零件编号:
- TPC8227-H,LQ(S
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 5.1 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 最大漏源电阻值 | 40 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.3V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1.5 W | |
| 高度 | 1.52mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 系列 | TPC | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 640 pF @ 10 V | |
| 典型接通延迟时间 | 6.7 ns | |
| 宽度 | 3.9mm | |
| 长度 | 4.9mm | |
| 尺寸 | 4.9 x 3.9 x 1.52mm | |
| 典型关断延迟时间 | 17 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 5.1 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
最大漏源电阻值 40 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.3V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1.5 W | ||
高度 1.52mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
系列 TPC | ||
典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 640 pF @ 10 V | ||
典型接通延迟时间 6.7 ns | ||
宽度 3.9mm | ||
长度 4.9mm | ||
尺寸 4.9 x 3.9 x 1.52mm | ||
典型关断延迟时间 17 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +150 °C | ||