TPH14006NH , N沟道 MOSFET 晶体管, 34 A, Vds=60 V, 8针 SOP 高级封装
- RS 库存编号:
- 796-5137
- 制造商零件编号:
- TPH14006NH
- 制造商:
- Toshiba
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB25.66
(不含税)
RMB28.995
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB5.132 | RMB25.66 |
| 50 - 495 | RMB4.39 | RMB21.95 |
| 500 - 2495 | RMB3.848 | RMB19.24 |
| 2500 - 4995 | RMB2.886 | RMB14.43 |
| 5000 + | RMB2.828 | RMB14.14 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 796-5137
- 制造商零件编号:
- TPH14006NH
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 34 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 33 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOP 高级 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 32 W | |
| 典型关断延迟时间 | 18 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 1000 pF @ 30 V | |
| 系列 | TPH | |
| 高度 | 0.95mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 16 nC @ 10 V | |
| 典型接通延迟时间 | 18 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 5 x 5 x 0.95mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 5mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 34 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 33 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOP 高级 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 32 W | ||
典型关断延迟时间 18 ns | ||
典型输入电容值@Vds 1000 pF @ 30 V | ||
系列 TPH | ||
高度 0.95mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 16 nC @ 10 V | ||
典型接通延迟时间 18 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 5 x 5 x 0.95mm | ||
长度 5mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 5mm | ||