TPH4R606NH , N沟道 MOSFET 晶体管, 85 A, Vds=60 V, 8针 SOP 高级封装
- RS 库存编号:
- 796-5140
- 制造商零件编号:
- TPH4R606NH
- 制造商:
- Toshiba
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB55.30
(不含税)
RMB62.50
(含税)
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB11.06 | RMB55.30 |
| 25 - 495 | RMB9.48 | RMB47.40 |
| 500 - 2495 | RMB8.26 | RMB41.30 |
| 2500 - 4995 | RMB5.50 | RMB27.50 |
| 5000 + | RMB4.66 | RMB23.30 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 796-5140
- 制造商零件编号:
- TPH4R606NH
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 85 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 11 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOP 高级 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 63 W | |
| 长度 | 5mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 49 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 3050 pF @ 30 V | |
| 典型接通延迟时间 | 24 ns | |
| 典型关断延迟时间 | 37 ns | |
| 尺寸 | 5 x 5 x 0.95mm | |
| 系列 | TPH | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 5mm | |
| 高度 | 0.95mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 85 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 11 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOP 高级 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 63 W | ||
长度 5mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型栅极电荷@Vgs 49 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 3050 pF @ 30 V | ||
典型接通延迟时间 24 ns | ||
典型关断延迟时间 37 ns | ||
尺寸 5 x 5 x 0.95mm | ||
系列 TPH | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 5mm | ||
高度 0.95mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||