TK9J90E , N沟道 MOSFET 晶体管, 9 A, Vds=900 V, 3针 TO-3PN封装

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RS 库存编号:
796-5153
制造商零件编号:
TK9J90E
制造商:
Toshiba
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品牌

Toshiba

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

9

最大漏源电压 Vd

900

包装类型

TO-3PN

系列

TK

安装类型

通孔

引脚数目

3

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

46

正向电压 Vf

-1.7

最大功耗 Pd

250

最大栅源电压 Vgs

30

最高工作温度

150

长度

15.5

标准/认证

No

高度

20

宽度

4.5

汽车标准