TPH8R80ANH , N沟道 MOSFET 晶体管, 59 A, Vds=100 V, 8针 SOP 高级封装
- RS 库存编号:
- 796-5156
- 制造商零件编号:
- TPH8R80ANH
- 制造商:
- Toshiba
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB52.10
(不含税)
RMB58.85
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB10.42 | RMB52.10 |
| 25 - 495 | RMB8.94 | RMB44.70 |
| 500 - 2495 | RMB7.84 | RMB39.20 |
| 2500 - 4995 | RMB5.24 | RMB26.20 |
| 5000 + | RMB4.44 | RMB22.20 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 796-5156
- 制造商零件编号:
- TPH8R80ANH
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 59 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 8.8 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOP 高级 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 61 W | |
| 宽度 | 5mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 尺寸 | 5 x 5 x 0.95mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 19 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 33 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 2180 pF @ 50 V | |
| 典型关断延迟时间 | 33 ns | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | TPH | |
| 高度 | 0.95mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 59 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
最大漏源电阻值 8.8 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOP 高级 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 61 W | ||
宽度 5mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
尺寸 5 x 5 x 0.95mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 19 ns | ||
典型栅极电荷@Vgs 33 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 2180 pF @ 50 V | ||
典型关断延迟时间 33 ns | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 TPH | ||
高度 0.95mm | ||
长度 5mm | ||