PMDPB80XP,115 Dual P-Channel MOSFET, 2.7 A, 20 V, 8-Pin DFN2020 Nexperia
- RS 库存编号:
- 798-2744
- 制造商零件编号:
- PMDPB80XP
- 制造商:
- NXP
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RMB22.14
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB2.214 | RMB22.14 |
| 50 - 240 | RMB1.948 | RMB19.48 |
| 250 - 490 | RMB1.581 | RMB15.81 |
| 500 - 2990 | RMB1.55 | RMB15.50 |
| 3000 + | RMB1.52 | RMB15.20 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 798-2744
- 制造商零件编号:
- PMDPB80XP
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 2.7 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 102 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.4V | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | DFN2020 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 6.25 W | |
| 长度 | 2.1mm | |
| 尺寸 | 2.1 x 2.1 x 0.65mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 6 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 5.7 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 550 pF @ -10 V | |
| 典型关断延迟时间 | 120 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 宽度 | 2.1mm | |
| 高度 | 0.65mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 2.7 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 102 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1V | ||
最小栅阈值电压 0.4V | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 DFN2020 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 6.25 W | ||
长度 2.1mm | ||
尺寸 2.1 x 2.1 x 0.65mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 6 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 5.7 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 550 pF @ -10 V | ||
典型关断延迟时间 120 ns | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
宽度 2.1mm | ||
高度 0.65mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN