PMF63UN , N沟道 MOSFET 晶体管, 1.8 A, Vds=20 V, 3针 SOT-323封装
- RS 库存编号:
- 798-2750P
- 制造商零件编号:
- PMF63UN
- 制造商:
- NXP
可享批量折扣
小计 60 件 (按连续条带形式提供)*
RMB59.40
(不含税)
RMB67.20
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 60 - 210 | RMB0.99 |
| 240 - 480 | RMB0.882 |
| 510 - 2970 | RMB0.674 |
| 3000 + | RMB0.594 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 798-2750P
- 制造商零件编号:
- PMF63UN
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 1.8 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 74 mΩ | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 封装类型 | SOT-323 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | Trench MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1.79 W | |
| 典型输入电容值@Vds | 185 pF @ 10 V | |
| 典型关断延迟时间 | 31 ns | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 宽度 | 1.35mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 2.2 nC @ 4.5 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 典型接通延迟时间 | 8 ns | |
| 尺寸 | 2.2 x 1.35 x 1.1mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 1.8 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 74 mΩ | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
封装类型 SOT-323 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 Trench MOSFET | ||
最大功率耗散 1.79 W | ||
典型输入电容值@Vds 185 pF @ 10 V | ||
典型关断延迟时间 31 ns | ||
长度 2.2mm | ||
宽度 1.35mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 2.2 nC @ 4.5 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 1.1mm | ||
典型接通延迟时间 8 ns | ||
尺寸 2.2 x 1.35 x 1.1mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- MY