PMN27UP,115 P-Channel MOSFET, 5.7 A, 20 V, 6-Pin TSOP Nexperia
- RS 库存编号:
- 798-2763
- 制造商零件编号:
- PMN27UP
- 制造商:
- NXP
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小计（1 包，共 15 件）*
RMB26.955
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RMB30.465
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 15 - 30 | RMB1.797 | RMB26.96 |
| 45 - 240 | RMB1.569 | RMB23.54 |
| 255 - 480 | RMB1.291 | RMB19.37 |
| 495 - 2985 | RMB1.261 | RMB18.92 |
| 3000 + | RMB1.049 | RMB15.74 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 798-2763
- 制造商零件编号:
- PMN27UP
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 5.7 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 32 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 0.95V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.45V | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 封装类型 | TSOP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 6.25 W | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型输入电容值@Vds | 2340 pF @ -10 V | |
| 典型关断延迟时间 | 95 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 21 nC @ 4.5 V | |
| 宽度 | 1.7mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 3.1mm | |
| 典型接通延迟时间 | 19 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 3.1 x 1.7 x 1mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 5.7 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 32 mΩ | ||
最大栅阈值电压 0.95V | ||
最小栅阈值电压 0.45V | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
封装类型 TSOP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 6 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 6.25 W | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型输入电容值@Vds 2340 pF @ -10 V | ||
典型关断延迟时间 95 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 4.5 V | ||
宽度 1.7mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 3.1mm | ||
典型接通延迟时间 19 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm | ||
高度 1mm | ||
- COO (Country of Origin):
- MY