PMN35EN,115 N-Channel MOSFET, 5.1 A, 30 V, 6-Pin TSOP Nexperia
- RS 库存编号:
- 798-2766P
- 制造商零件编号:
- PMN35EN
- 制造商:
- NXP
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RMB107.64
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RMB121.59
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 90 - 210 | RMB1.196 |
| 240 - 480 | RMB1.049 |
| 510 - 2970 | RMB0.915 |
| 3000 + | RMB0.804 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 798-2766P
- 制造商零件编号:
- PMN35EN
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 5.1 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 31 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TSOP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 4.17 W | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 1mm | |
| 典型接通延迟时间 | 4 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 1.7mm | |
| 典型关断延迟时间 | 53 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 3.1 x 1.7 x 1mm | |
| 长度 | 3.1mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 334 pF @ 15 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6.2 nC @ 10 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 5.1 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 31 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.5V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TSOP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 6 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 4.17 W | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 1mm | ||
典型接通延迟时间 4 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 1.7mm | ||
典型关断延迟时间 53 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm | ||
长度 3.1mm | ||
典型输入电容值@Vds 334 pF @ 15 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 6.2 nC @ 10 V | ||
- COO (Country of Origin):
- MY