PMR670UPE P-Channel MOSFET, 480 mA, 20 V, 3-Pin SOT-416 NXP
- RS 库存编号:
- 798-2776P
- 制造商零件编号:
- PMR670UPE
- 制造商:
- NXP
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 100 - 200 | RMB0.645 |
| 250 - 450 | RMB0.60 |
| 500 - 2950 | RMB0.569 |
| 3000 + | RMB0.506 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 798-2776P
- 制造商零件编号:
- PMR670UPE
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 480 mA | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 850 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1.3V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.5V | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 封装类型 | SOT-416 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 770 mW | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 尺寸 | 1.8 x 0.9 x 0.85mm | |
| 宽度 | 0.9mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 58 pF @ -10 V | |
| 高度 | 0.85mm | |
| 典型接通延迟时间 | 18 ns | |
| 长度 | 1.8mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 0.76 nC @ 4.5 V | |
| 典型关断延迟时间 | 80 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 480 mA | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 850 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1.3V | ||
最小栅阈值电压 0.5V | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
封装类型 SOT-416 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 770 mW | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
尺寸 1.8 x 0.9 x 0.85mm | ||
宽度 0.9mm | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型输入电容值@Vds 58 pF @ -10 V | ||
高度 0.85mm | ||
典型接通延迟时间 18 ns | ||
长度 1.8mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型栅极电荷@Vgs 0.76 nC @ 4.5 V | ||
典型关断延迟时间 80 ns | ||
- COO (Country of Origin):
- MY