PMT21EN , N沟道 MOSFET 晶体管, 7.4 A, Vds=30 V, 3针 SOT-223封装
- RS 库存编号:
- 798-2785
- 制造商零件编号:
- PMT21EN
- 制造商:
- NXP
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB1.98 | RMB19.80 |
| 50 - 240 | RMB1.764 | RMB17.64 |
| 250 - 490 | RMB1.392 | RMB13.92 |
| 500 - 990 | RMB1.36 | RMB13.60 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 798-2785
- 制造商零件编号:
- PMT21EN
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 7.4 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 21 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | Trench MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 8.33 W | |
| 典型关断延迟时间 | 77 ns | |
| 宽度 | 3.7mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 1.7mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 6.7mm | |
| 尺寸 | 6.7 x 3.7 x 1.7mm | |
| 典型接通延迟时间 | 4 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 588 pF @ 15 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 12.5 nC @ 10 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 7.4 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 21 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.5V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOT-223 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 Trench MOSFET | ||
最大功率耗散 8.33 W | ||
典型关断延迟时间 77 ns | ||
宽度 3.7mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 1.7mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 6.7mm | ||
尺寸 6.7 x 3.7 x 1.7mm | ||
典型接通延迟时间 4 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型输入电容值@Vds 588 pF @ 15 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 12.5 nC @ 10 V | ||
- COO (Country of Origin):
- KR