PMV20XN N-Channel MOSFET Transistor, 4.8 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 NXP
- RS 库存编号:
- 798-2791
- 制造商零件编号:
- PMV20XN
- 制造商:
- NXP
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RMB52.80
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 30 - 60 | RMB1.76 | RMB52.80 |
| 90 - 210 | RMB1.54 | RMB46.20 |
| 240 - 480 | RMB1.474 | RMB44.22 |
| 510 - 2970 | RMB1.32 | RMB39.60 |
| 3000 + | RMB1.21 | RMB36.30 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 798-2791
- 制造商零件编号:
- PMV20XN
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 4.8 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 25 mΩ | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | TO-236AB | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | Trench MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 4.17 W | |
| 长度 | 3mm | |
| 尺寸 | 3 x 1.4 x 1mm | |
| 典型接通延迟时间 | 12 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6.4 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 585 pF @ 15 V | |
| 典型关断延迟时间 | 128 ns | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 4.8 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 25 mΩ | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 TO-236AB | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 Trench MOSFET | ||
最大功率耗散 4.17 W | ||
长度 3mm | ||
尺寸 3 x 1.4 x 1mm | ||
典型接通延迟时间 12 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 6.4 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 585 pF @ 15 V | ||
典型关断延迟时间 128 ns | ||
宽度 1.4mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 1mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN