PSMN030-60YS,115 N-Channel MOSFET, 29 A, 60 V, 4-Pin SOT-669 Nexperia
- RS 库存编号:
- 798-2873P
- 制造商零件编号:
- PSMN030-60YS
- 制造商:
- NXP
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 240 | RMB3.64 |
| 250 - 490 | RMB2.592 |
| 500 - 1490 | RMB2.231 |
| 1500 + | RMB2.187 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 798-2873P
- 制造商零件编号:
- PSMN030-60YS
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 29 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 39 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOT-669 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 56 W | |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 13 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 686 pF @ 30 V | |
| 典型关断延迟时间 | 19 ns | |
| 宽度 | 4.1mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 5mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 5 x 4.1 x 1.1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 29 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 39 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOT-669 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 4 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 56 W | ||
典型接通延迟时间 10 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 686 pF @ 30 V | ||
典型关断延迟时间 19 ns | ||
宽度 4.1mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 1.1mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 5mm | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 5 x 4.1 x 1.1mm | ||
- COO (Country of Origin):
- PH