PSMN039-100YS,115 N-Channel MOSFET, 28 A, 100 V, 4-Pin SOT-669 Nexperia
- RS 库存编号:
- 798-2886
- 制造商零件编号:
- PSMN039-100YS
- 制造商:
- NXP
可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
RMB57.82
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB5.782 | RMB57.82 |
| 50 - 240 | RMB5.302 | RMB53.02 |
| 250 - 490 | RMB3.724 | RMB37.24 |
| 500 - 1490 | RMB3.219 | RMB32.19 |
| 1500 + | RMB3.156 | RMB31.56 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 798-2886
- 制造商零件编号:
- PSMN039-100YS
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 28 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 71 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOT-669 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 74 W | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 23 nC @ 10 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 宽度 | 4.1mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 1847 pF @ 50 V | |
| 典型关断延迟时间 | 22 ns | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 5mm | |
| 尺寸 | 5 x 4.1 x 1.1mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 11 ns | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 28 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
最大漏源电阻值 71 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOT-669 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 4 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 74 W | ||
典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
宽度 4.1mm | ||
典型输入电容值@Vds 1847 pF @ 50 V | ||
典型关断延迟时间 22 ns | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 5mm | ||
尺寸 5 x 4.1 x 1.1mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 11 ns | ||
高度 1.1mm | ||
- COO (Country of Origin):
- PH