PSMN3R8-100BS,118 N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V, 3-Pin D2PAK Nexperia
- RS 库存编号:
- 798-2956
- 制造商零件编号:
- PSMN3R8-100BS
- 制造商:
- NXP
可享批量折扣
小计（1 包，共 2 件）*
RMB50.57
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RMB57.144
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | RMB25.285 | RMB50.57 |
| 50 - 198 | RMB20.97 | RMB41.94 |
| 200 - 498 | RMB17.935 | RMB35.87 |
| 500 - 798 | RMB13.82 | RMB27.64 |
| 800 + | RMB12.445 | RMB24.89 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 798-2956
- 制造商零件编号:
- PSMN3R8-100BS
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 120 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 6.9 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 306 W | |
| 典型接通延迟时间 | 45 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 170 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 9900 pF @ 50 V | |
| 典型关断延迟时间 | 122 ns | |
| 宽度 | 11mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 4.5mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 10.3mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 10.3 x 11 x 4.5mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 120 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
最大漏源电阻值 6.9 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 306 W | ||
典型接通延迟时间 45 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 170 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 9900 pF @ 50 V | ||
典型关断延迟时间 122 ns | ||
宽度 11mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 4.5mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 10.3mm | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 10.3 x 11 x 4.5mm | ||
- COO (Country of Origin):
- PH