PSMN4R5-40BS,118 N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 3-Pin D2PAK Nexperia
- RS 库存编号:
- 798-2974
- 制造商零件编号:
- PSMN4R5-40BS
- 制造商:
- NXP
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB33.58
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RMB37.945
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB6.716 | RMB33.58 |
| 50 - 195 | RMB5.872 | RMB29.36 |
| 200 - 495 | RMB5.282 | RMB26.41 |
| 500 - 795 | RMB4.448 | RMB22.24 |
| 800 + | RMB4.36 | RMB21.80 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 798-2974
- 制造商零件编号:
- PSMN4R5-40BS
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 100 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 最大漏源电阻值 | 6.5 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 148 W | |
| 高度 | 4.5mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 10.3mm | |
| 尺寸 | 10.3 x 11 x 4.5mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 19 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 42.3 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 2683 pF @ 20 V | |
| 典型关断延迟时间 | 30 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 11mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 100 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
最大漏源电阻值 6.5 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 148 W | ||
高度 4.5mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 10.3mm | ||
尺寸 10.3 x 11 x 4.5mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 19 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 42.3 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 2683 pF @ 20 V | ||
典型关断延迟时间 30 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 11mm | ||
- COO (Country of Origin):
- PH