ATP602-TL-H , N沟道 MOSFET 晶体管, 5 A, Vds=600 V, 3针 ATPAK封装
- RS 库存编号:
- 800-9513P
- 制造商零件编号:
- ATP602-TL-H
- 制造商:
- ON Semiconductor
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 240 | RMB3.70 |
| 250 - 490 | RMB3.60 |
| 500 - 740 | RMB3.50 |
| 750 + | RMB3.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 800-9513P
- 制造商零件编号:
- ATP602-TL-H
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 5 A | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 最大漏源电阻值 | 2.7 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | ATPAK | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 70 W | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 7.3mm | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 13.6 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 350 pF @ 30 V | |
| 典型接通延迟时间 | 14.2 ns | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 36.2 ns | |
| 尺寸 | 6.5 x 7.3 x 1.5mm | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 5 A | ||
最大漏源电压 600 V | ||
最大漏源电阻值 2.7 Ω | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 ATPAK | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 70 W | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 7.3mm | ||
长度 6.5mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 13.6 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 350 pF @ 30 V | ||
典型接通延迟时间 14.2 ns | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型关断延迟时间 36.2 ns | ||
尺寸 6.5 x 7.3 x 1.5mm | ||
高度 1.5mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN