IXFB62N80Q3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 62 A, Vds=800 V, 3针 PLUS264封装
- RS 库存编号:
- 801-1376P
- 制造商零件编号:
- IXFB62N80Q3
- 制造商:
- IXYS
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小计 5 件 (按管提供)*
RMB959.35
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RMB1,084.05
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 5 - 9 | RMB191.87 |
| 10 - 24 | RMB170.01 |
| 25 - 49 | RMB167.60 |
| 50 + | RMB165.29 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 801-1376P
- 制造商零件编号:
- IXFB62N80Q3
- 制造商:
- IXYS
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | IXYS | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 62 A | |
| 最大漏源电压 | 800 V | |
| 最大漏源电阻值 | 140 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 6.5V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | PLUS264 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1.56 kW | |
| 长度 | 20.29mm | |
| 尺寸 | 20.29 x 5.31 x 26.59mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 270 nC @ 10 V | |
| 典型接通延迟时间 | 54 ns | |
| 高度 | 26.59mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 13600 pF@ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 62 ns | |
| 宽度 | 5.31mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | HiperFET, Q3-Class | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 IXYS | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 62 A | ||
最大漏源电压 800 V | ||
最大漏源电阻值 140 mΩ | ||
最大栅阈值电压 6.5V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 PLUS264 | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1.56 kW | ||
长度 20.29mm | ||
尺寸 20.29 x 5.31 x 26.59mm | ||
晶体管材料 Si | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 270 nC @ 10 V | ||
典型接通延迟时间 54 ns | ||
高度 26.59mm | ||
典型输入电容值@Vds 13600 pF@ 25 V | ||
典型关断延迟时间 62 ns | ||
宽度 5.31mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 HiperFET, Q3-Class | ||