IXFH18N100Q3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 18 A, Vds=1000 V, 3针 TO247封装
- RS 库存编号:
- 801-1382P
- 制造商零件编号:
- IXFH18N100Q3
- 制造商:
- IXYS
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RMB483.40
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 5 - 9 | RMB85.56 |
| 10 - 29 | RMB77.53 |
| 30 - 89 | RMB75.22 |
| 90 + | RMB73.02 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 801-1382P
- 制造商零件编号:
- IXFH18N100Q3
- 制造商:
- IXYS
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | IXYS | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 18 | |
| 最大漏源电压 Vd | 1 | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 系列 | HiperFET, Q3-Class | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 | |
| 正向电压 Vf | 1.4 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 最大功耗 Pd | 830 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 90 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 16.26 | |
| 宽度 | 5.3 | |
| 高度 | 16.26 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 IXYS | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 18 | ||
最大漏源电压 Vd 1 | ||
包装类型 TO-247 | ||
系列 HiperFET, Q3-Class | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 30 | ||
正向电压 Vf 1.4 | ||
最低工作温度 -55 | ||
最大功耗 Pd 830 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 90 | ||
最高工作温度 150 | ||
标准/认证 No | ||
长度 16.26 | ||
宽度 5.3 | ||
高度 16.26 | ||
汽车标准 否 | ||