IXFH50N30Q3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 50 A, Vds=300 V, 3针 TO247封装
- RS 库存编号:
- 801-1398P
- 制造商零件编号:
- IXFH50N30Q3
- 制造商:
- IXYS
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 5 - 9 | RMB58.58 |
| 10 - 29 | RMB53.66 |
| 30 - 89 | RMB49.45 |
| 90 + | RMB45.24 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 801-1398P
- 制造商零件编号:
- IXFH50N30Q3
- 制造商:
- IXYS
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | IXYS | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 50 A | |
| 最大漏源电压 | 300 V | |
| 最大漏源电阻值 | 80 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 6.5V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 690 W | |
| 典型关断延迟时间 | 24 ns | |
| 尺寸 | 16.26 x 5.3 x 16.26mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | HiperFET, Q3-Class | |
| 高度 | 16.26mm | |
| 典型接通延迟时间 | 14 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 5.3mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 65 nC @ 10 V | |
| 长度 | 16.26mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型输入电容值@Vds | 3160 pF @ 25 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 IXYS | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 50 A | ||
最大漏源电压 300 V | ||
最大漏源电阻值 80 mΩ | ||
最大栅阈值电压 6.5V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 690 W | ||
典型关断延迟时间 24 ns | ||
尺寸 16.26 x 5.3 x 16.26mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 HiperFET, Q3-Class | ||
高度 16.26mm | ||
典型接通延迟时间 14 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 5.3mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 65 nC @ 10 V | ||
长度 16.26mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型输入电容值@Vds 3160 pF @ 25 V | ||