IXFT30N50Q3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 30 A, Vds=500 V, 3针 TO268封装
- RS 库存编号:
- 801-1465
- 制造商零件编号:
- IXFT30N50Q3
- 制造商:
- IXYS
可享批量折扣
小计（1 件）*
RMB79.46
(不含税)
RMB89.79
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 4 | RMB79.46 |
| 5 - 9 | RMB77.90 |
| 10 - 29 | RMB68.25 |
| 30 - 89 | RMB66.91 |
| 90 + | RMB65.60 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 801-1465
- 制造商零件编号:
- IXFT30N50Q3
- 制造商:
- IXYS
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | IXYS | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 30 A | |
| 最大漏源电压 | 500 V | |
| 最大漏源电阻值 | 200 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 6.5V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-268 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 690 W | |
| 典型关断延迟时间 | 26 ns | |
| 高度 | 5.1mm | |
| 系列 | HiperFET, Q3-Class | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 14mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 62 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 3200 pF @ 25 V | |
| 长度 | 16.05mm | |
| 尺寸 | 16.05 x 14 x 5.1mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 14 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 IXYS | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 30 A | ||
最大漏源电压 500 V | ||
最大漏源电阻值 200 mΩ | ||
最大栅阈值电压 6.5V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-268 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 690 W | ||
典型关断延迟时间 26 ns | ||
高度 5.1mm | ||
系列 HiperFET, Q3-Class | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 14mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 62 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 3200 pF @ 25 V | ||
长度 16.05mm | ||
尺寸 16.05 x 14 x 5.1mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 14 ns | ||