NDTL03N150CG , N沟道 MOSFET 晶体管, 5 A, Vds=1500 V, 3针 TO-3P封装
- RS 库存编号:
- 801-6797
- 制造商零件编号:
- NDTL03N150CG
- 制造商:
- ON Semiconductor
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小计（1 包，共 2 件）*
RMB49.50
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB24.75 | RMB49.50 |
| 10 - 48 | RMB21.50 | RMB43.00 |
| 50 - 98 | RMB20.625 | RMB41.25 |
| 100 - 498 | RMB19.085 | RMB38.17 |
| 500 + | RMB15.90 | RMB31.80 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 801-6797
- 制造商零件编号:
- NDTL03N150CG
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 2.5 A | |
| 最大漏源电压 | 1500 V | |
| 最大漏源电阻值 | 10.5 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | TO-3P | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 140 W | |
| 宽度 | 15.6mm | |
| 典型关断延迟时间 | 140 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 尺寸 | 39.9 x 15.6 x 4.8mm | |
| 长度 | 39.9mm | |
| 高度 | 4.8mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 15 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 650 pF@ 30 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 34 nC @ 10 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 2.5 A | ||
最大漏源电压 1500 V | ||
最大漏源电阻值 10.5 Ω | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 TO-3P | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 140 W | ||
宽度 15.6mm | ||
典型关断延迟时间 140 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
尺寸 39.9 x 15.6 x 4.8mm | ||
长度 39.9mm | ||
高度 4.8mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型接通延迟时间 15 ns | ||
典型输入电容值@Vds 650 pF@ 30 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 34 nC @ 10 V | ||
晶体管材料 Si | ||