2SK3747-1E , N沟道 MOSFET 晶体管, 2 A, Vds=1500 V, 3针 TO-3P封装
- RS 库存编号:
- 802-0730P
- 制造商零件编号:
- 2SK3747-1E
- 制造商:
- ON Semiconductor
可享批量折扣
小计 10 件 (按管提供)*
RMB238.15
(不含税)
RMB269.11
(含税)
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 98 | RMB23.815 |
| 100 - 248 | RMB21.835 |
| 250 - 498 | RMB19.90 |
| 500 + | RMB17.71 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 802-0730P
- 制造商零件编号:
- 2SK3747-1E
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 2 A | |
| 最大漏源电压 | 1500 V | |
| 最大漏源电阻值 | 13 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V | |
| 最大栅源电压 | -35 V、+35 V | |
| 封装类型 | TO-3P | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 50 W | |
| 长度 | 15.5mm | |
| 高度 | 24.5mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 37.5 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 380 pF @ 30 V | |
| 典型关断延迟时间 | 152 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 12 ns | |
| 宽度 | 5.5mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 15.5 x 5.5 x 24.5mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 2 A | ||
最大漏源电压 1500 V | ||
最大漏源电阻值 13 Ω | ||
最大栅阈值电压 3.5V | ||
最大栅源电压 -35 V、+35 V | ||
封装类型 TO-3P | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 50 W | ||
长度 15.5mm | ||
高度 24.5mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 37.5 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 380 pF @ 30 V | ||
典型关断延迟时间 152 ns | ||
典型接通延迟时间 12 ns | ||
宽度 5.5mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 15.5 x 5.5 x 24.5mm | ||
- COO (Country of Origin):
- KR