CPH5871-TL-H , N沟道 MOSFET 晶体管, 3.5 A, Vds=30 V, 5针 CPH5封装
- RS 库存编号:
- 802-0796P
- 制造商零件编号:
- CPH5871-TL-H
- 制造商:
- ON Semiconductor
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 100 | RMB1.658 |
| 125 - 475 | RMB1.626 |
| 500 - 975 | RMB1.594 |
| 1000 + | RMB1.563 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 802-0796P
- 制造商零件编号:
- CPH5871-TL-H
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 3.5 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 132 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1.3V | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | CPH | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 900 mW | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 4.7 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 430 pF @ 10 V | |
| 典型关断延迟时间 | 36 ns | |
| 宽度 | 1.6mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +125 °C | |
| 尺寸 | 2.9 x 1.6 x 0.9mm | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 3.5 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 132 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1.3V | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 CPH | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 5 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 900 mW | ||
高度 0.9mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 10 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 4.7 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 430 pF @ 10 V | ||
典型关断延迟时间 36 ns | ||
宽度 1.6mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +125 °C | ||
尺寸 2.9 x 1.6 x 0.9mm | ||
长度 2.9mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN