ECH8419-TL-H , N沟道 MOSFET 晶体管, 9 A, Vds=20 V, 8针 ECH8封装
- RS 库存编号:
- 802-0813P
- 制造商零件编号:
- ECH8419-TL-H
- 制造商:
- ON Semiconductor
可享批量折扣
小计 40 件 (按连续条带形式提供)*
RMB82.36
(不含税)
RMB93.08
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 40 - 80 | RMB2.059 |
| 100 - 480 | RMB2.019 |
| 500 - 980 | RMB1.979 |
| 1000 + | RMB1.94 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 802-0813P
- 制造商零件编号:
- ECH8419-TL-H
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 9 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 38 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.6V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | ECH | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1.5 W | |
| 尺寸 | 2.9 x 2.3 x 0.9mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 130 pF @ 20 V | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 13 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 典型关断延迟时间 | 66 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 2.3mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 19 nC @ 10 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 9 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 38 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.6V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 ECH | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1.5 W | ||
尺寸 2.9 x 2.3 x 0.9mm | ||
典型输入电容值@Vds 130 pF @ 20 V | ||
高度 0.9mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型接通延迟时间 13 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
长度 2.9mm | ||
典型关断延迟时间 66 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 2.3mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 19 nC @ 10 V | ||
- COO (Country of Origin):
- CN