ECH8602M-TL-H, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 6 A, Vds=30 V, 8针 ECH8封装
- RS 库存编号:
- 802-0825P
- 制造商零件编号:
- ECH8602M-TL-H
- 制造商:
- ON Semiconductor
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 40 - 80 | RMB1.826 |
| 100 - 180 | RMB1.79 |
| 200 - 980 | RMB1.755 |
| 1000 + | RMB1.72 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 802-0825P
- 制造商零件编号:
- ECH8602M-TL-H
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 6 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 44 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1.3V | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | ECH | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1.4 W | |
| 尺寸 | 2.9 x 2.3 x 0.9mm | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 典型关断延迟时间 | 3500 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 7.5 nC @ 4.5 V | |
| 典型接通延迟时间 | 305 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 宽度 | 2.3mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 6 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 44 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1.3V | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 ECH | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1.4 W | ||
尺寸 2.9 x 2.3 x 0.9mm | ||
长度 2.9mm | ||
典型关断延迟时间 3500 ns | ||
典型栅极电荷@Vgs 7.5 nC @ 4.5 V | ||
典型接通延迟时间 305 ns | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
宽度 2.3mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 0.9mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN