ECH8653-TL-H, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 7.5 A, Vds=20 V, 8针 ECH8封装
- RS 库存编号:
- 802-0831
- 制造商零件编号:
- ECH8653-TL-H
- 制造商:
- ON Semiconductor
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小计（1 包，共 20 件）*
RMB44.02
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | RMB2.201 | RMB44.02 |
| 40 - 80 | RMB2.158 | RMB43.16 |
| 100 - 180 | RMB2.116 | RMB42.32 |
| 200 - 980 | RMB2.074 | RMB41.48 |
| 1000 + | RMB2.034 | RMB40.68 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 802-0831
- 制造商零件编号:
- ECH8653-TL-H
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 7.5 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 25 mΩ | |
| 最大栅源电压 | -10 V、+10 V | |
| 封装类型 | ECH | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1.4 W | |
| 典型输入电容值@Vds | 1280 pF @ 10 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 18.5 nC @ 8 V | |
| 典型接通延迟时间 | 13 ns | |
| 尺寸 | 2.9 x 2.3 x 0.9mm | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 宽度 | 2.3mm | |
| 典型关断延迟时间 | 94 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 7.5 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 25 mΩ | ||
最大栅源电压 -10 V、+10 V | ||
封装类型 ECH | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1.4 W | ||
典型输入电容值@Vds 1280 pF @ 10 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 18.5 nC @ 8 V | ||
典型接通延迟时间 13 ns | ||
尺寸 2.9 x 2.3 x 0.9mm | ||
长度 2.9mm | ||
高度 0.9mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
宽度 2.3mm | ||
典型关断延迟时间 94 ns | ||