ECH8663R-TL-H, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 8 A, Vds=30 V, 8针 ECH8封装
- RS 库存编号:
- 802-0853
- 制造商零件编号:
- ECH8663R-TL-H
- 制造商:
- ON Semiconductor
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小计（1 包，共 25 件）*
RMB65.00
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | RMB2.60 | RMB65.00 |
| 50 - 100 | RMB2.352 | RMB58.80 |
| 125 - 475 | RMB2.16 | RMB54.00 |
| 500 - 975 | RMB2.00 | RMB50.00 |
| 1000 + | RMB1.76 | RMB44.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 802-0853
- 制造商零件编号:
- ECH8663R-TL-H
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 8 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 28 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1.3V | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | ECH | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 共漏极 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1.4 W | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 尺寸 | 2.9 x 2.3 x 0.9mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 320 ns | |
| 宽度 | 2.3mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 12.3 nC @ 4.5 V | |
| 典型关断延迟时间 | 4200 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 8 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 28 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1.3V | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 ECH | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 共漏极 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1.4 W | ||
高度 0.9mm | ||
长度 2.9mm | ||
尺寸 2.9 x 2.3 x 0.9mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 320 ns | ||
宽度 2.3mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 12.3 nC @ 4.5 V | ||
典型关断延迟时间 4200 ns | ||