EFC4615R-TR, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 4针 EFCP封装
- RS 库存编号:
- 802-0875P
- 制造商零件编号:
- EFC4615R-TR
- 制造商:
- ON Semiconductor
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RMB76.40
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RMB86.35
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 100 | RMB1.528 |
| 125 - 475 | RMB1.40 |
| 500 - 975 | RMB1.296 |
| 1000 + | RMB1.135 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 802-0875P
- 制造商零件编号:
- EFC4615R-TR
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 6 A | |
| 最大漏源电压 | 24 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.031 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 1.3V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.5V | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | EFCP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 晶体管配置 | 共漏极 | |
| 通道模式 | 消耗 | |
| 最大功率耗散 | 1.6 W | |
| 尺寸 | 1.46 x 1.46 x 0.22mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 13 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 8.8 nC @ 4.5 V | |
| 长度 | 1.46mm | |
| 宽度 | 1.46mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 335 ns | |
| 高度 | 0.22mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 6 A | ||
最大漏源电压 24 V | ||
最大漏源电阻值 0.031 Ω | ||
最大栅阈值电压 1.3V | ||
最小栅阈值电压 0.5V | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 EFCP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 4 | ||
晶体管配置 共漏极 | ||
通道模式 消耗 | ||
最大功率耗散 1.6 W | ||
尺寸 1.46 x 1.46 x 0.22mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 13 ns | ||
典型栅极电荷@Vgs 8.8 nC @ 4.5 V | ||
长度 1.46mm | ||
宽度 1.46mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型关断延迟时间 335 ns | ||
高度 0.22mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN