MCH6662-TL-H, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 2 A, Vds=20 V, 6针 MCPH6封装
- RS 库存编号:
- 802-0976
- 制造商零件编号:
- MCH6662-TL-H
- 制造商:
- ON Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 50 件）*
RMB71.40
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RMB80.70
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB1.428 | RMB71.40 |
| 100 - 150 | RMB1.294 | RMB64.70 |
| 200 - 450 | RMB1.186 | RMB59.30 |
| 500 - 950 | RMB1.089 | RMB54.45 |
| 1000 + | RMB0.955 | RMB47.75 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 802-0976
- 制造商零件编号:
- MCH6662-TL-H
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 2 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 160 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1.3V | |
| 最大栅源电压 | -10 V、+10 V | |
| 封装类型 | MCPH | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 800 mW | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1.8 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 128 pF @ 10 V | |
| 典型关断延迟时间 | 14.5 ns | |
| 宽度 | 1.6mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 长度 | 2mm | |
| 尺寸 | 2 x 1.6 x 0.85mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 高度 | 0.85mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 5.1 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 2 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 160 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1.3V | ||
最大栅源电压 -10 V、+10 V | ||
封装类型 MCPH | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 6 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 800 mW | ||
典型栅极电荷@Vgs 1.8 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 128 pF @ 10 V | ||
典型关断延迟时间 14.5 ns | ||
宽度 1.6mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
长度 2mm | ||
尺寸 2 x 1.6 x 0.85mm | ||
晶体管材料 Si | ||
高度 0.85mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型接通延迟时间 5.1 ns | ||