NTB45N06LT4G , N沟道 MOSFET 晶体管, 45 A, Vds=60 V, 3针 D2PAK封装
- RS 库存编号:
- 802-0989
- 制造商零件编号:
- NTB45N06LT4G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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小计（1 包，共 10 件）*
RMB91.40
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | RMB9.14 | RMB91.40 |
| 20 - 90 | RMB8.833 | RMB88.33 |
| 100 - 240 | RMB7.415 | RMB74.15 |
| 250 - 490 | RMB7.27 | RMB72.70 |
| 500 + | RMB6.38 | RMB63.80 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 802-0989
- 制造商零件编号:
- NTB45N06LT4G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 45 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 28 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -15 V、+15 V | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 125 W | |
| 典型关断延迟时间 | 36 ns | |
| 宽度 | 9.65mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 10.29mm | |
| 尺寸 | 10.29 x 9.65 x 4.83mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 13 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 1212 pF @ 25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 23 nC @ 5 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 45 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 28 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -15 V、+15 V | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 125 W | ||
典型关断延迟时间 36 ns | ||
宽度 9.65mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 4.83mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 10.29mm | ||
尺寸 10.29 x 9.65 x 4.83mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 13 ns | ||
典型输入电容值@Vds 1212 pF @ 25 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 5 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||