NTB5605PT4G , P沟道 MOSFET 晶体管, 18.5A, Vds=-60 V, 3针 D2PAK封装
- RS 库存编号:
- 802-0998P
- 制造商零件编号:
- NTB5605PT4G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 20 - 90 | RMB5.687 |
| 100 - 240 | RMB5.04 |
| 250 - 490 | RMB4.818 |
| 500 + | RMB4.235 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 802-0998P
- 制造商零件编号:
- NTB5605PT4G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 18.5A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 140 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 88 W | |
| 典型关断延迟时间 | 29 ns | |
| 宽度 | 9.65mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 尺寸 | 10.29 x 9.65 x 4.83mm | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 10.29mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 12.5 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 13 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 730 pF @ -25 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 18.5A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 140 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 88 W | ||
典型关断延迟时间 29 ns | ||
宽度 9.65mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
尺寸 10.29 x 9.65 x 4.83mm | ||
高度 4.83mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 10.29mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 12.5 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 730 pF @ -25 V | ||
- COO (Country of Origin):
- MY