ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTNUS3171PZT5G, 200 mA, Vds=20 V, 3针 SOT-1123封装
- RS 库存编号:
- 802-1070P
- 制造商零件编号:
- NTNUS3171PZT5G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 200 - 400 | RMB0.605 |
| 500 - 900 | RMB0.545 |
| 1000 - 1900 | RMB0.508 |
| 2000 + | RMB0.448 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 802-1070P
- 制造商零件编号:
- NTNUS3171PZT5G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 200 mA | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 3.5 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 封装类型 | SOT-1123 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 小信号 | |
| 最大功率耗散 | 125 mW | |
| 典型接通延迟时间 | 30 ns | |
| 长度 | 0.85mm | |
| 尺寸 | 0.85 x 0.65 x 0.4mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 0.65mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 13 pF @ -15 V | |
| 典型关断延迟时间 | 196 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 0.4mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 200 mA | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 3.5 Ω | ||
最大栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
封装类型 SOT-1123 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 小信号 | ||
最大功率耗散 125 mW | ||
典型接通延迟时间 30 ns | ||
长度 0.85mm | ||
尺寸 0.85 x 0.65 x 0.4mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 0.65mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型输入电容值@Vds 13 pF @ -15 V | ||
典型关断延迟时间 196 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 0.4mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN