onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 75 A, D2PAK (TO-263), 贴片安装, 3引脚, FDB86135
- RS 库存编号:
- 802-3219P
- 制造商零件编号:
- FDB86135
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计 5 件 (按连续条带形式提供)*
RMB238.50
(不含税)
RMB269.50
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 5 - 9 | RMB47.70 |
| 10 - 49 | RMB35.64 |
| 50 - 99 | RMB32.78 |
| 100 + | RMB28.05 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 802-3219P
- 制造商零件编号:
- FDB86135
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 75 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 3.5 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 227 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 宽度 | 9.65mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 24 nC @ 10 V | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 75 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
系列 PowerTrench | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 3.5 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 227 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
宽度 9.65mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
晶体管材料 Si | ||
长度 10.67mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型栅极电荷@Vgs 24 nC @ 10 V | ||
高度 4.83mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- MY