ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTP5864NG, 63 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
- RS 库存编号:
- 802-4082
- 制造商零件编号:
- NTP5864NG
- 制造商:
- ON Semiconductor
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|---|---|---|
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| 100 - 180 | RMB3.631 | RMB72.62 |
| 200 - 480 | RMB3.56 | RMB71.20 |
| 500 + | RMB3.15 | RMB63.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 802-4082
- 制造商零件编号:
- NTP5864NG
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 63 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 12.4 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 107 W | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 31 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 1680 pF @ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 18 ns | |
| 高度 | 4.82mm | |
| 宽度 | 15.75mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 10.28mm | |
| 尺寸 | 10.28 x 15.75 x 4.82mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 63 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 12.4 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 107 W | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
典型接通延迟时间 10 ns | ||
典型栅极电荷@Vgs 31 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 1680 pF @ 25 V | ||
典型关断延迟时间 18 ns | ||
高度 4.82mm | ||
宽度 15.75mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 10.28mm | ||
尺寸 10.28 x 15.75 x 4.82mm | ||
晶体管材料 Si | ||