IXFB210N30P3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 210 A, Vds=300 V, 3针 PLUS264封装
- RS 库存编号:
- 802-4357
- 制造商零件编号:
- IXFB210N30P3
- 制造商:
- IXYS
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小计（1 件）*
RMB151.06
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RMB170.70
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 4 | RMB151.06 |
| 5 - 9 | RMB148.10 |
| 10 - 24 | RMB128.39 |
| 25 - 74 | RMB125.87 |
| 75 + | RMB123.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 802-4357
- 制造商零件编号:
- IXFB210N30P3
- 制造商:
- IXYS
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | IXYS | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 210 | |
| 最大漏源电压 Vd | 300 | |
| 系列 | HiperFET, Polar3 | |
| 包装类型 | PLUS264 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 268 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 正向电压 Vf | 1.5 | |
| 最大功耗 Pd | 1.89 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 长度 | 20.29 | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 5.31 | |
| 高度 | 26.59 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 IXYS | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 210 | ||
最大漏源电压 Vd 300 | ||
系列 HiperFET, Polar3 | ||
包装类型 PLUS264 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 268 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
正向电压 Vf 1.5 | ||
最大功耗 Pd 1.89 | ||
最高工作温度 150 | ||
长度 20.29 | ||
标准/认证 No | ||
宽度 5.31 | ||
高度 26.59 | ||
汽车标准 否 | ||