IXFQ34N50P3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 34 A, Vds=500 V, 3针 TO-3P封装
- RS 库存编号:
- 802-4455P
- 制造商零件编号:
- IXFQ34N50P3
- 制造商:
- IXYS
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RMB249.15
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 5 - 9 | RMB44.10 |
| 10 - 29 | RMB36.62 |
| 30 - 89 | RMB35.90 |
| 90 + | RMB35.20 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 802-4455P
- 制造商零件编号:
- IXFQ34N50P3
- 制造商:
- IXYS
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | IXYS | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 34 A | |
| 最大漏源电压 | 500 V | |
| 最大漏源电阻值 | 175 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | TO-3P | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 695 W | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | HiperFET, Polar3 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 23 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 60 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 3260 pF @ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 40 ns | |
| 长度 | 15.8mm | |
| 尺寸 | 15.8 x 4.9 x 20.3mm | |
| 宽度 | 4.9mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 20.3mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 IXYS | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 34 A | ||
最大漏源电压 500 V | ||
最大漏源电阻值 175 mΩ | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 TO-3P | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 695 W | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 HiperFET, Polar3 | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 23 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 60 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 3260 pF @ 25 V | ||
典型关断延迟时间 40 ns | ||
长度 15.8mm | ||
尺寸 15.8 x 4.9 x 20.3mm | ||
宽度 4.9mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 20.3mm | ||
- COO (Country of Origin):
- US