IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=500 V, 26 A, TO-3PN, 通孔安装, 3引脚, IXFQ26N50P3
- RS 库存编号:
- 802-4458
- 制造商零件编号:
- IXFQ26N50P3
- 制造商:
- IXYS
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB37.40 | RMB74.80 |
| 10 - 28 | RMB29.80 | RMB59.60 |
| 30 - 58 | RMB27.94 | RMB55.88 |
| 60 - 118 | RMB25.96 | RMB51.92 |
| 120 + | RMB24.20 | RMB48.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 802-4458
- 制造商零件编号:
- IXFQ26N50P3
- 制造商:
- IXYS
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | IXYS | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 26 | |
| 最大漏源电压 Vd | 500 | |
| 包装类型 | TO-3P | |
| 系列 | HiperFET, Polar3 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 42 | |
| 最大功耗 Pd | 500 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 | |
| 正向电压 Vf | 1.4 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 长度 | 15.8 | |
| 高度 | 20.3 | |
| 宽度 | 4.9 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 IXYS | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 26 | ||
最大漏源电压 Vd 500 | ||
包装类型 TO-3P | ||
系列 HiperFET, Polar3 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 42 | ||
最大功耗 Pd 500 | ||
最大栅源电压 Vgs 30 | ||
正向电压 Vf 1.4 | ||
最高工作温度 150 | ||
长度 15.8 | ||
高度 20.3 | ||
宽度 4.9 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||