IXYS N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 66 A, SOT-227, 面板安装, 4引脚, IXFN80N60P3

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RS 库存编号:
804-7603
Distrelec 货号:
302-53-380
制造商零件编号:
IXFN80N60P3
制造商:
IXYS
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品牌

IXYS

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

66A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

SOT-227

安装类型

面板

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

70mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

960W

正向电压 Vf

1.5V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

190nC

最高工作温度

150°C

高度

9.6mm

标准/认证

No

长度

38.23mm

汽车标准

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列


一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™)

MOSFET 晶体管,IXYS


IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备