2N7002MTF , N沟道 MOSFET 晶体管, 0.115 A, Vds=60 V, 3针 SOT-23封装
- RS 库存编号:
- 805-1138
- 制造商零件编号:
- 2N7002MTF
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 100 件）*
RMB54.90
(不含税)
RMB62.00
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | RMB0.549 | RMB54.90 |
| 500 - 900 | RMB0.474 | RMB47.40 |
| 1000 - 4900 | RMB0.338 | RMB33.80 |
| 5000 - 9900 | RMB0.275 | RMB27.50 |
| 10000 + | RMB0.238 | RMB23.80 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 805-1138
- 制造商零件编号:
- 2N7002MTF
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 115 mA | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 5 Ω | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 200 mW | |
| 宽度 | 1.3mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 2.92mm | |
| 尺寸 | 2.92 x 1.3 x 1.2mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 20 ns | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 50 pF @ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 20 ns | |
| 高度 | 1.2mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 115 mA | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 5 Ω | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 200 mW | ||
宽度 1.3mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 2.92mm | ||
尺寸 2.92 x 1.3 x 1.2mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 20 ns | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型输入电容值@Vds 50 pF @ 25 V | ||
典型关断延迟时间 20 ns | ||
高度 1.2mm | ||