NTHS5441T1G , P沟道 MOSFET 晶体管, 2.8 A, Vds=-20 V, 8针 芯片 FET封装
- RS 库存编号:
- 805-1905P
- 制造商零件编号:
- NTHS5441T1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 75 | RMB3.07 |
| 100 - 225 | RMB2.018 |
| 250 - 475 | RMB1.979 |
| 500 + | RMB1.94 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 805-1905P
- 制造商零件编号:
- NTHS5441T1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 2.8 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 83 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1.2V | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | ChipFET | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1.3 W | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型输入电容值@Vds | 710 pF @ -5 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 9.7 nC @ 4.5 V | |
| 长度 | 3.1mm | |
| 典型关断延迟时间 | 42 ns | |
| 尺寸 | 3.1 x 1.7 x 1.1mm | |
| 典型接通延迟时间 | 14 ns | |
| 宽度 | 1.7mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 2.8 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 83 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1.2V | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 ChipFET | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1.3 W | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 1.1mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型输入电容值@Vds 710 pF @ -5 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 9.7 nC @ 4.5 V | ||
长度 3.1mm | ||
典型关断延迟时间 42 ns | ||
尺寸 3.1 x 1.7 x 1.1mm | ||
典型接通延迟时间 14 ns | ||
宽度 1.7mm | ||
晶体管材料 Si | ||
最低工作温度 -55 °C | ||