NVF6P02T3G , P沟道 MOSFET 晶体管, 8.4 A, Vds=-20 V, 3针 SOT-223封装
- RS 库存编号:
- 805-1996
- 制造商零件编号:
- NVF6P02T3G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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小计（1 包，共 10 件）*
RMB49.61
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB4.961 | RMB49.61 |
| 50 - 90 | RMB4.554 | RMB45.54 |
| 100 - 240 | RMB4.03 | RMB40.30 |
| 250 - 490 | RMB3.894 | RMB38.94 |
| 500 + | RMB3.56 | RMB35.60 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 805-1996
- 制造商零件编号:
- NVF6P02T3G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 8.4 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 70 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 封装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3+Tab | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 8.3 W | |
| 典型接通延迟时间 | 8 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 15 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 940 pF @ -10 V | |
| 典型关断延迟时间 | 75 ns | |
| 宽度 | 3.7mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 6.7mm | |
| 尺寸 | 6.7 x 3.7 x 1.65mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 1.65mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 8.4 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 70 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
封装类型 SOT-223 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3+Tab | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 8.3 W | ||
典型接通延迟时间 8 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 940 pF @ -10 V | ||
典型关断延迟时间 75 ns | ||
宽度 3.7mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 6.7mm | ||
尺寸 6.7 x 3.7 x 1.65mm | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 1.65mm | ||