SFT1445-TL-H , N沟道 MOSFET 晶体管, 17 A, Vds=100 V, 3针 TP-FA封装
- RS 库存编号:
- 805-4430
- 制造商零件编号:
- SFT1445-TL-H
- 制造商:
- ON Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 25 件）*
RMB90.525
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RMB102.30
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | RMB3.621 | RMB90.53 |
| 50 - 225 | RMB3.331 | RMB83.28 |
| 250 - 475 | RMB2.683 | RMB67.08 |
| 500 - 975 | RMB2.63 | RMB65.75 |
| 1000 + | RMB2.374 | RMB59.35 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 805-4430
- 制造商零件编号:
- SFT1445-TL-H
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 17 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 130 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.6V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TP-FA | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 35 W | |
| 宽度 | 5.5mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型关断延迟时间 | 60 ns | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 尺寸 | 6.5 x 5.5 x 2.3mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 19 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 1030 pF @ 20 V | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 17 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
最大漏源电阻值 130 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.6V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TP-FA | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 35 W | ||
宽度 5.5mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型关断延迟时间 60 ns | ||
长度 6.5mm | ||
尺寸 6.5 x 5.5 x 2.3mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 10 ns | ||
典型栅极电荷@Vgs 19 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 1030 pF @ 20 V | ||
高度 2.3mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||