NVF3055L108T1G , N沟道 MOSFET 晶体管, 3 A, Vds=60 V, 3针 SOT-223封装
- RS 库存编号:
- 805-8717P
- 制造商零件编号:
- NVF3055L108T1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 225 | RMB2.864 |
| 250 - 475 | RMB2.46 |
| 500 - 975 | RMB2.455 |
| 1000 + | RMB1.97 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 805-8717P
- 制造商零件编号:
- NVF3055L108T1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 3 | |
| 最大漏源电压 Vd | 60 | |
| 包装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 15 | |
| 最大功耗 Pd | 2.1 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 7.6 | |
| 正向电压 Vf | 0.87 | |
| 最高工作温度 | 175 | |
| 长度 | 6.7 | |
| 宽度 | 3.7 | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1.65 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 3 | ||
最大漏源电压 Vd 60 | ||
包装类型 SOT-223 | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 4 | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 15 | ||
最大功耗 Pd 2.1 | ||
最低工作温度 -55 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 7.6 | ||
正向电压 Vf 0.87 | ||
最高工作温度 175 | ||
长度 6.7 | ||
宽度 3.7 | ||
标准/认证 No | ||
高度 1.65 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY