NTD4909NT4G , N沟道 MOSFET 晶体管, 12.1 A, Vds=30 V, 3针 DPAK封装
- RS 库存编号:
- 805-8791P
- 制造商零件编号:
- NTD4909NT4G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 225 | RMB1.773 |
| 250 - 475 | RMB1.641 |
| 500 - 975 | RMB1.518 |
| 1000 + | RMB1.30 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 805-8791P
- 制造商零件编号:
- NTD4909NT4G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 12.1 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 12 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 29.4 W | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.38mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 11 ns | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10 V 时，17.5 常闭 | |
| 典型输入电容值@Vds | 1314 pF @ 15 V | |
| 典型关断延迟时间 | 21 ns | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 高度 | 2.38mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 12.1 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 12 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 29.4 W | ||
长度 6.73mm | ||
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 11 ns | ||
宽度 6.22mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 10 V 时，17.5 常闭 | ||
典型输入电容值@Vds 1314 pF @ 15 V | ||
典型关断延迟时间 21 ns | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
高度 2.38mm | ||
- COO (Country of Origin):
- MY