onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 30 A, D2PAK (TO-263), 贴片安装, 3引脚, NDB6030PL
- RS 库存编号:
- 806-1233
- 制造商零件编号:
- NDB6030PL
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB71.72
(不含税)
RMB81.045
(含税)
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB14.344 | RMB71.72 |
| 25 - 45 | RMB11.858 | RMB59.29 |
| 50 - 245 | RMB11.616 | RMB58.08 |
| 250 - 495 | RMB9.306 | RMB46.53 |
| 500 + | RMB8.118 | RMB40.59 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 806-1233
- 制造商零件编号:
- NDB6030PL
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 30 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 75 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大功率耗散 | 75 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -16 V、+16 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 宽度 | 4.83mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 26 nC @ 5 V | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 11.33mm | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 30 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 75 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大功率耗散 75 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -16 V、+16 V | ||
晶体管材料 Si | ||
宽度 4.83mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 5 V | ||
长度 10.67mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 11.33mm | ||
最低工作温度 -65 °C | ||