FDG311N , N沟道 MOSFET 晶体管, 1.9 A, Vds=20 V, 6针 SC-70封装
- RS 库存编号:
- 806-3374P
- 制造商零件编号:
- FDG311N
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 100 - 180 | RMB1.67 |
| 200 - 980 | RMB1.634 |
| 1000 - 1980 | RMB1.29 |
| 2000 + | RMB1.183 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 806-3374P
- 制造商零件编号:
- FDG311N
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 1.9 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 170 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 0.4V | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 封装类型 | SOT-363 (SC-70) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 750 mW | |
| 高度 | 1mm | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 宽度 | 1.25mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 正向跨导 | 6S | |
| 典型关断延迟时间 | 10 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 长度 | 2mm | |
| 尺寸 | 2 x 1.25 x 1mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 5 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 3 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 270 pF @ 10 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 1.9 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 170 mΩ | ||
最小栅阈值电压 0.4V | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
封装类型 SOT-363 (SC-70) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 6 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 750 mW | ||
高度 1mm | ||
系列 PowerTrench | ||
宽度 1.25mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
正向跨导 6S | ||
典型关断延迟时间 10 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
长度 2mm | ||
尺寸 2 x 1.25 x 1mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 5 ns | ||
典型栅极电荷@Vgs 3 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 270 pF @ 10 V | ||
- COO (Country of Origin):
- MY