FDMA7672 , N沟道 MOSFET 晶体管, 9 A, Vds=30 V, 6针 MicroFET封装
- RS 库存编号:
- 806-3472
- 制造商零件编号:
- FDMA7672
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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RMB58.65
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB5.865 | RMB58.65 |
| 50 - 90 | RMB5.75 | RMB57.50 |
| 100 - 490 | RMB4.58 | RMB45.80 |
| 500 - 990 | RMB4.18 | RMB41.80 |
| 1000 + | RMB3.19 | RMB31.90 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 806-3472
- 制造商零件编号:
- FDMA7672
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 9 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 32 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | MLP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2.4 W | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 2mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 9.3 nC @ 10 V | |
| 正向跨导 | 35S | |
| 典型关断延迟时间 | 14 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 570 pF @ 15 V | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 高度 | 0.725mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 长度 | 2mm | |
| 典型接通延迟时间 | 6 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 2 x 2 x 0.725mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 9 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 32 mΩ | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 MLP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 6 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2.4 W | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 2mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 9.3 nC @ 10 V | ||
正向跨导 35S | ||
典型关断延迟时间 14 ns | ||
典型输入电容值@Vds 570 pF @ 15 V | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
高度 0.725mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 PowerTrench | ||
长度 2mm | ||
典型接通延迟时间 6 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 2 x 2 x 0.725mm | ||