FDMA3027PZ, 双 P沟道 MOSFET 晶体管, 3.3 A, Vds=-30 V, 6针 MicroFET封装
- RS 库存编号:
- 806-3478
- 制造商零件编号:
- FDMA3027PZ
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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RMB55.54
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB5.554 | RMB55.54 |
| 50 - 90 | RMB5.445 | RMB54.45 |
| 100 - 490 | RMB4.329 | RMB43.29 |
| 500 - 990 | RMB3.951 | RMB39.51 |
| 1000 + | RMB3.015 | RMB30.15 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 806-3478
- 制造商零件编号:
- FDMA3027PZ
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 3.3 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 152 M Ω | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -25 V、+25 V | |
| 封装类型 | MLP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1.4 W | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 宽度 | 2mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 2 x 2 x 0.725mm | |
| 长度 | 2mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 0.725mm | |
| 典型关断延迟时间 | 17 ns | |
| 正向跨导 | 6S | |
| 正向二极管电压 | 1.3V | |
| 典型输入电容值@Vds | 324 pF @ -15 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 7.2 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 5.2 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 3.3 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 152 M Ω | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -25 V、+25 V | ||
封装类型 MLP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1.4 W | ||
系列 PowerTrench | ||
宽度 2mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 2 x 2 x 0.725mm | ||
长度 2mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 0.725mm | ||
典型关断延迟时间 17 ns | ||
正向跨导 6S | ||
正向二极管电压 1.3V | ||
典型输入电容值@Vds 324 pF @ -15 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 7.2 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 5.2 ns | ||